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用于人工光合作用的氮化镓基器件及其制备方法

735   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 20:28:03
本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓基器件,自下而上有金属衬底(Cu、In、Sn、Ag、Au、Pb、Cd等)、n+‑GaN、InGaN层、其制备步骤如下:在n型重掺的GaN层上利用分子束外延技术生长InGaN层,再将获得的GaN基外延片用物理或者化学方法(如键合、倒装焊、导电胶等)与金属衬底上粘合在一起,使得GaN基电池中的电子可以顺利导入到金属基板上,获得用于人工光合作用的氮化镓器件。本发明的氮化镓器件具有吸收系数高、电子空穴分离效率高、电流均匀性好的优点,可作为光阳极材料用于人工光合作用中,对减少二氧化碳排放以及新能源的开发利用具有非常重要意义。
声明:
“用于人工光合作用的氮化镓基器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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