本发明属于新能源
新材料领域,尤其涉及一种ITO薄膜,具体为一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法。该方法包括以下步骤:S1、在衬底上生长In
2O
3籽晶层;S2、在S1生长的In
2O
3籽晶层上生长ITO薄膜;S3、将S2中的复合薄膜进行退火处理。本发明提供的ITO薄膜的制备方法,通过在两步法制备ITO薄膜引入In
2O
3籽晶层,提高了与P型
半导体材料的接触特性,同时在制备过程中引入氢气,提高了ITO薄膜透过率、与载流子迁移率,薄膜材料的性能显著得到提高。
声明:
“高透高迁移率ITO薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)