本发明涉及一种基于磁控溅射法的CZTS叠合吸收层及其制备方法,属于
光伏材料与器件新能源技术领域。本发明的CZTS叠合吸收层采用磁控溅射法制备而得,由下而上依次为衬底,掺Fe的Cu2ZnSnS4吸收层,未掺杂的Cu2ZnSnS4吸收层,掺Ge的Cu2ZnSnS4吸收层。本发明以CZTS材料为基体,采用磁控溅射法,通过不同元素的替位掺杂实现对不同带隙变化的控制,可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不通区域,实现对太阳光的高效利用。
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“基于磁控溅射法的CZTS叠合吸收层及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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