一种晶界调控n型碲化铋薄膜性能的方法,涉及一种热电材料调控方法,属于
新能源材料领域,本发明方法解决现有技术中晶界结构和化学性质随着温度、压力和化学势等热力学参数的变化产生不连续地变化等问题。该方法包括以下过程:第一步以商用Bi2Te3靶和Te靶为靶材,采用磁控溅射技术在加热基底上制备n型Bi2Te3薄膜。第二步以商用Sn为原料,采用蒸发技术,在n型Bi2Te3薄膜的表面镀上Sn。第三步采用保护气退火炉对镀Sn后的n型Bi2Te3在高温下退火后,随炉冷却,以获得高性能的n型Bi2Te3薄膜。本发明方法为低温发电微型器件的性能优化提供高性能、低成本、设备简单、工艺简单、操作易控、性能均匀、稳定的优化工艺方案。
声明:
“晶界调控n型碲化铋薄膜性能的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)