本发明属于光电探测器技术领域,公开了二维
钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法。该二维钙钛矿薄膜的反溶剂制备方法,包括以下步骤:(1)将基底置于等离子清洗设备中进行改性处理,制得改性的基底;(2)取步骤(1)制得的改性的基底加热,然后在改性的基底上滴加钙钛矿前驱体溶液,再滴加反溶剂,反应,退火,制得所述二维钙钛矿薄膜;所述反溶剂包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一种。在二维钙钛矿薄膜上制备电极,制得光电探测器。该光电探测器的响应时间低于85ms,经过近90次循环光电流衰减不到7.7%,最佳响应度为200‑670μA/W,最大光电流为3.5‑13.2nA。
声明:
“二维钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)