本发明涉及一种
光伏材料及其制备方法;特别涉及一种硒硫化锑薄膜材料及其制备方法,属于
新能源材料制备技术领域。本发明所述光伏材料的化学式为Sb2(SxSe1-x)3,其中x的取值范围为0< x< 1。其制备方法为:先在基底上通过溅射的方法制备硫化锑预制层,在一定条件下进行硒化退火,得到硒硫化锑薄膜材料。本发明首次设计并提出溅射硫化锑预制层后硒化制备硒硫化锑半导体薄膜材料的方法,制备出的硒硫化锑薄膜材料结晶性好、成分可控,薄膜的致密度高、体积膨胀小,避免现有方法制备半导体薄膜材料过程中存在的成分不易控制、均匀性欠佳及易产生不利杂相等问题,且该方法对设备的要求不高,易于实现产业化,在生产中可以大规模推广。
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