本发明属于光电探测器技术领域,公开了
钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法。该反溶剂制备方法,包括以下步骤:(1)将基底置于等离子清洗设备中进行改性处理,制得改性的基底;(2)取步骤(1)制得的改性的基底加热,然后在改性的基底上滴加钙钛矿前驱体溶液,再滴加反溶剂,反应,退火,制得钙钛矿薄膜;反溶剂包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一种;退火的温度为78‑122℃。光电探测器具有良好的光电性能,同时具有高的响应度、外量子效率和比探测率,光电探测器的响应度为200‑700μA/W,外量子效率大于0.01,比探测率为108‑109Jones。
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“钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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