本发明涉及一种新型聚碳
硅烷及其制备方法,采用格式试剂偶联方法制备聚碳硅烷陶瓷前驱体,分子结构中同时含有Si-H键和C≡C等不饱和基团,在一定的温度下可自身交联固化,固化失重低,工艺性好,通过调节反应物氯硅烷单体的官能度、投料比,以及优化反应条件,可有效调节前驱体中Si/C比及前驱体产物的工艺性能,得到的产物具有优异的耐热性,陶瓷产率高,陶瓷中自由碳含量低,SiC陶瓷相纯度高,适于作为高性能SiC陶瓷前驱体,可用于超高温陶瓷基
复合材料浸渍基体,亦可用于SiC陶瓷涂层、纤维等高性能材料的制备。
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