本发明提出一种含In2S3纳米晶的硫卤玻璃陶瓷及其制备技术。该玻璃陶瓷的组分为GeS2:40-70mol%;In2S3:15-25mol%;CsI:5-35mol%,其中,In2S3与CsI的摩尔比大于1。该玻璃陶瓷的制备过程包括前驱玻璃的熔体急冷法制备和前驱玻璃的后续晶化处理两个步骤。本发明通过改变In2S3与CsI组分的摩尔比,可以制备出一系列含有单一In2S3纳米晶的硫卤玻璃陶瓷。该类纳米
复合材料具有高的红外透过率和良好的热学与机械性能,可望开发为红外窗口材料和发光介质。
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