本发明涉及基于极窄带半导体为固体导电通道的光催化剂及其制备方法和应用。通过溶胶水热和煅烧方法制备,在Er
3+:Y
3Al
5O
12@NiGa
2O
4和Bi
2Sn
2O
7之间插入一个极窄带隙半导体CoS
2,形成了一个新型的Z型光催化体系。制备的光催化剂的光催化活性通过在模拟太阳光照射下对亚硝酸盐和亚硫酸盐的转化来评估。结果表明,所制备的Er
3+:Y
3Al
5O
12@NiGa
2O
4/CoS
2/Bi
2Sn
2O
7复合材料在亚硝酸盐和亚硫酸盐转化过程中表现出了高度稳定的光催化活性。
声明:
“基于极窄带半导体为固体导电通道的光催化剂及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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