本发明涉及
复合材料制备领域,公开了一种银纳米线/
石墨烯复合薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)石墨烯薄膜的制备;2)石墨烯薄膜的转移;3)银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备。本发明充分发挥了银纳米线与石墨烯薄膜各自的优势,使复合薄膜具有高导电性与高透过率的同时保证其表面平整度,其电学性能已媲美ITO薄膜,且其光学透过率却更优于ITO薄膜,更适合于透明导电电极的应用。同时,本发明很好的减少了工艺流程,大大降低了材料的制备成本,有利于实现大规模工业化生产。
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“银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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