本发明公开一种用于光电催化的g‑C
3N
4复合薄膜材料的制备方法,该方法首先采用水热法和热蒸气液聚法制备g‑C
3N
4薄膜;然后采用连续的离子层吸附法(SILAR)将Bi
2S
3纳米颗粒负载到g‑C
3N
4薄膜上;最后利用光
电化学沉积法将Co‑Pi纳米颗粒沉积到g‑C
3N
4/Bi
2S
3上最终得到g‑C
3N
4/Bi
2S
3/Co‑Pi薄膜
复合材料。所制备的复合薄膜材料提升了g‑C
3N
4的可见光吸收,促进了光电催化性能的提高;制备方法简单易操作,整体成本低廉。
声明:
“用于光电催化的g-C3N4复合薄膜材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)