本发明公开了一种原位双层包覆硅碳
负极材料及其制备方法,通过亚微米硅和含有羟基的有机溶剂在加热的条件下进行预反应,在亚微米级硅表面原位生成一层致密的二氧化硅包覆层;通过加热溶解以及喷雾干燥等工艺得到有机碳源均匀包覆的粉料;然后通过低温焙烧的方式,保证碳的原位包覆效果,有效避免高温焙烧过程中由于有机碳源软化而导致硅颗粒的黏连烧结,避免后续粉碎过程中对硅包覆层的破坏;最后通过和石墨类负极材料均匀混合以及高温焙烧碳化等手段得到最终产品。本发明包覆层均匀致密不仅可以提高
复合材料的电子导电性,而且可以抑制硅的体积膨胀;且由于低温焙烧工艺的引入,抑制了硅颗粒的黏连和烧结;操作简单,成本低廉,适用于产业化生产。
声明:
“原位双层包覆硅碳负极材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)