本发明涉及一种Hf
xZr
1‑xC陶瓷固溶体纳米线及制备方法,分别称取不同质量的前驱体,按照不同摩尔比例进行配置。采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在碳/碳
复合材料表面制备出Hf
xZr
1‑xC固溶体纳米线。通过对混合前驱体粉料中各组分含量调控可实现对固溶体纳米线中原子摩尔比进行调控,以及对LPCVD工艺参数的调控可对固溶体纳米线的微观结构进行有效的控制。本发明制备工艺简单易操作,可对纳米线形貌进行有效的控制,拓展其对在多种材料领域中的应用。
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“HfxZr1-xC陶瓷固溶体纳米线及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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