本发明涉及一种复合氧化物
半导体材料的制备方法。包括以下步骤:1)将一定量的二水合氯化铜和铁盐溶解于溶剂中,搅拌得到混合溶液;2)将一定量的十二烷基苯磺酸钠溶于溶剂中,搅拌溶解后缓慢滴加到步骤1)的混合溶液中;3)将一定量的氢氧化钠溶解于溶剂中,将其缓慢滴到步骤2)的混合溶液中,得到前驱体溶液,然后置于密封不锈钢高压釜中,将反应釜放入恒温烘箱中高温反应一定时间;4)借用外加磁场取出反应釜中产物洗涤、干燥,获得复合半导体材料。本发明的特点:采用一步溶剂热法,方法简单、成本低;
复合材料有效避免了半导体光生电子与空穴的复合,提高了光催化降解效率;作为磁性材料,易于回收、重复利用。
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