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提高交、直流击穿性能的绝缘介质及其制备方法

631   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:43:34
本申请公开一种提高交、直流击穿性能的绝缘介质及其制备方法,绝缘介质包括以下质量分数的组分:99.6‑100%半结晶聚合物材料和0‑0.4%填料;半结晶聚合物材料包括低密度聚乙烯;填料包括酚酞粉末。本申请通过酚酞掺杂对半结晶聚合物绝缘介质进行改性,酚酞掺杂改变半结晶聚合物绝缘介质的微观结构(结晶度、球晶尺寸、片晶厚度等),制备出复合绝缘介质材料的结晶行为和陷阱参数发生较大变化,结晶度有所提高,球晶尺寸明显减小,片晶厚度增大,陷阱能级增大。微观结构及陷阱参数的改变影响复合材料的交、直流击穿特性。本申请可以显著提高半结晶聚合物绝缘介质的交、直流击穿场强,且工艺难度低、可操作性强及可靠性高,能够广泛运用于高压绝缘材料领域。
声明:
“提高交、直流击穿性能的绝缘介质及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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