本发明公开了一种空心立方Ni
3S
4/CuS
2超级电容器电极材料的制备方法及其应用,该方法中包含了此过程中前驱体Cu
2O、中间体Ni(OH)
2/CuS
2以及空心立方结构Ni
3S
4/CuS
2的制备方法;本发明以低温‑湿化学方法合成了Cu
2O立方体,并以该Cu
2O立方体作为前驱体,通过牺牲模板法合成了空心立方的Ni(OH)
2/CuS
2,最后经水热硫化得到Ni
3S
4/CuS
2复合材料。该发明提供的制备方法简单,合成条件温和可控,重复性好,材料成本低廉且易于大规模生产与应用。所制备的空心立方结构的Ni
3S
4/CuS
2电极材料用作超级电容器的电极活性物质,具有大的电荷存储容量和好的循环稳定性。
声明:
“空心立方Ni3S4/CuS2超级电容器电极材料的制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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