本发明公开了一种钼酸镉改性铜基复合电接触材料的制备方法,该方法利用原位合成的方法使CdMoO
4均匀的在铜粉颗粒表面形核长大,从而制备第二相均匀弥散分布的钼酸镉改性铜基(CdMoO
4/Cu)复合电接触材料。本专利通过原位合成的方法不仅解决了CdO/Ag触头材料中Cd蒸气的污染问题和Ag资源短缺的问题,更加实现了CdMoO
4的均匀弥散分布的目的;通过热挤压—轧制—冲压等环节,利用铜合金塑性好的特点,实现了CdMoO
4/Cu
复合材料高效的致密化,并且进一步提高了CdMoO
4在铜基体中的均匀弥散程度,从而提高了电触头的微观组织性能以及服役性能。
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“钼酸镉改性铜基复合电接触材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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