本发明公开了一种低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法,所述的低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法为:在聚酰亚胺基体中加入表面接氟的介孔二氧化硅形成
复合材料,一方面加入中空填料引入空气可以降低薄膜的介电常数,除此之外,表面的氟元素具有强的吸电子效应,也会降低聚酰亚胺薄膜的离散电子能级,可以进一步降低聚酰亚胺复合薄膜的介电常数。使得复合薄膜的介电常数最低可降至2.6左右,并且薄膜的热性能并没有出现显著的降低,本发明方法简单可行且经济成本低,在电子和微电子行业具有广阔的应用前景。
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