本发明公开了一种晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备方法,首先,将硅粉和SiC原料按照不同硅粉添加量进行湿法混料,随后采用旋转蒸发仪进行干燥;将干燥后的粉体加入PVA进行造粒,干压成型后进行烧结获得定向多孔陶瓷。本发明采用硅粉作为造孔剂制备定向多孔陶瓷为纯SiC陶瓷,具有较为优异的高温性能,较高的孔筋密度和抗折强度;同时该法制备得到的定向多孔陶瓷晶界部位含有金属相,使得多孔陶瓷具有一定韧性,也为双连续相
复合材料的制备提供了增强体,具有较好地应用前景。
声明:
“晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)