本发明公开了一种三维多孔钴—铟合金电极的制备方法,包括以下步骤:第一步、量取一定体积比的酸和蒸馏水置于烧杯中形成稀酸溶液;将泡沫钴(Co)作为磁性基体静置于稀酸溶液中以除去表面氧化物等杂质;用无水乙醇和蒸馏水交换洗涤泡沫钴(Co),洗涤3~5次后置于真空干燥箱中干燥;第二步、将铟(In)在对辊机上辊压2~5次后形成In薄片;第三步、将步骤S2得到的In薄片置于步骤S1得到的泡沫钴(Co)上,在对辊机中辊压2~5次得到Co‑In片;第四步、将步骤S3得到的Co‑In片在高纯度氩气中加热数小时,冷却至室温后得到Co‑In
复合材料。本发明所提供的一种三维多孔钴—铟合金电极的制备方法,有效避免不均匀的锂成核、沉积和枝晶状锂的形成。
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