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含氧缺陷的氧化硅复合硒化镉纳米晶的制备方法

834   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:38:29
本发明公开了一种含氧缺陷的氧化硅复合硒化镉纳米晶的制备方法,属于氧化硅的纳米复合材料技术。该方法包括以下过程:首先,在真空加热的石英管反应器中,在氩气保护下,将石英管加热至600-1200℃,将硅氧烷送入石英管的高温区中,反应5min,降温至20-30℃后,得到SiOx纤维,其中1<x<2,再以含氧缺陷的氧化硅纤维和硒化镉纳米晶按质量比分散在甲苯、正己烷、正庚烷或丙酮中,超声分散,在惰性气氛下加热搅拌反应,得到含氧缺陷的氧化硅复合硒化镉纳米晶的结构。本发明的优点在于采用含有氧缺陷的氧化硅为原料,与未经任何处理的硒化镉纳米晶在溶液中反应,得到氧化硅复合硒化镉纳米晶的结构。此氧化硅复合纳米晶结构吸附均匀,一致性好。
声明:
“含氧缺陷的氧化硅复合硒化镉纳米晶的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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