本发明公开了一种室温磁热材料及其制备方法。所述室温磁热材料的制备方法包括:步骤一:采用磁控溅射沉积技术在基底上制备Gd5Si2Ge2合金薄膜;步骤二:采用磁控溅射沉积技术,在Gd5Si2Ge2合金薄膜上制备Ni50Mn37Sb13合金薄膜,获取由GdSiGe/NiMnSb合金薄膜复合成的第一复合薄膜材料;步骤三:采用磁控溅射沉积技术,在所述第一复合薄膜材料的表面制备Ni50Mn37Sn13薄膜,获取由GdSiGe/NiMnSb/NiMnSn合金薄膜复合成的第二复合薄膜材料;步骤四:采用磁控溅射沉积技术,在所述第二复合薄膜材料的表面制备Ni50Mn35In15薄膜,以获取由GdSiGe/NiMnSb/NiMnSn/NiMnIn合金薄膜复合成的室温磁热材料。本发明提供的室温磁热材料的制备方法简单易操作,具有实用价值,且该
复合材料成本低廉,环境友好无污染。
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