本发明公开了纳米氧化亚铜基3D打印用
半导体材料及其制备方法,具体步骤为将环氧树脂与丙酮混合,加入三乙醇胺,室温搅拌,再依次加入3―氨丙基三甲氧基
硅烷、聚乙烯醇颗粒,室温搅拌,然后加入纳米氧化亚铜粉,加热搅拌,冷却至室温,得纳米氧化亚铜基3D打印用半导体材料。其中纳米氧化亚铜粉含量为40~50%,环氧树脂含量10~20%,三乙醇胺含量为10~20%,3―氨丙基三甲氧基硅烷含量为10~20%,聚乙烯醇含量为5~10%,丙酮含量为10~20%。本发明制备的半导体
复合材料可在30~40℃的温度范围内进行3D打印且打印成型后的纳米氧化亚铜基半导体材料的稳定性好,载流子迁移率高。
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