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无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器及其制备方法

611   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:34:19
本发明提出了一种无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器,在AlInN/GaN异质结基片上蒸镀有电极,还包括钝化层,所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD,在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口,深度至PAD显露;还包括离子印迹聚合物层,所述离子印迹聚合物层位于AlInN层上,含有印迹孔穴。还公开了无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能,可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力;与AlGaN/GaN场效应晶体管传感器相比,其电流响应更大,具有高灵敏性的特点。
声明:
“无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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