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低内阻三元单晶极片的制备方法

651   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:33:22
本发明公开了一种低内阻三元单晶极片的制备方法,将钙钛矿‑钛酸镧锂和石墨烯材料作为包覆材料包覆于三元单晶材料的表面,使得极片活性材料具有良好的离子导电性和电子导电性,大大降低了材料本体内阻。本发明通过控制三元单晶/钛酸镧锂/石墨烯复合材料的粒径分布、导电剂和正极集流体的选择,使得电极拥有更好的孔结构,利于Li+扩散,更易形成导电网络,涂碳铝箔的选择明显降低活性颗粒与集流体的接触阻抗,且可降低电池在使用过程中内阻的增幅。本发明制得的低内阻三元单晶极片,比常规三元单晶极片内阻低50‑80%左右,解决了三元单晶材料由于颗粒大、Li+扩散困难、倍率差、极化大的问题,非常有利于单晶三元材料的大规模使用。
声明:
“低内阻三元单晶极片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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