一种钼酸铋/硫化铋/二硫化钼三元光电催化薄膜材料电极的制备方法,本发明属于
复合材料和光催化技术领域。解决现有对于Bi
2MoO
6薄膜的改性方法还无法将其用于光电催化领域的问题。制备方法:一、制备Bi
2MoO
6纳米片阵列薄膜;二、煅烧;三硫化,得到Bi
2S
3/MoS
2/Bi
2MoO
6三元光电催化薄膜材料电极。本发明用于钼酸铋/硫化铋/二硫化钼三元光电催化薄膜材料电极的制备。
声明:
“钼酸铋/硫化铋/二硫化钼三元光电催化薄膜材料电极的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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