本发明涉及一种纯化SiC粉料晶体结构与改善其圆整度的方法,包括以下步骤:a、将SiC粉料置于高温箱式电阻炉中,升温至1300~1600℃于空气中煅烧3~7h后,随炉冷却至室温;b、加入混合酸搅拌10~12h后,静置12~24h,用去离子水清洗至pH值为7.0后烘干;c、将SiC粉料置于高温烧结炉中,升温至1800~2200℃于氩气中煅烧3~7h,随炉冷却至室温;d、加入混合酸中搅拌10~12h,静置12~24h,去离子水清洗至pH值为7.0后于烘干。本发明的方法提高SiC晶体的结晶度,改善SiC颗粒的异构体现象,从而降低晶体结构和几何外形等缺陷对后续所制备的SiC/Al
复合材料性能影响。
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