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FinFET半导体器件及其制备方法

1039   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:33:20
本发明涉及一种FinFET半导体器件及其制备方法,所述方法,包提供半导体衬底;在所述半导体衬底上沉积SiGe材料层,以形成顶部沟料层;图案化所述SiGe材料层和所述半导体衬底,以形成鳍片结构;在鳍片结构上形成栅极结构,以得到含有复合沟道材料层的器件。本发明备过程中引入复合材料层作为沟槽,所述沟槽包括两层,由下往上分别材料层和SiGe材料层,在该器件中所述SiGe材料层作为上层沟道材料使器件在打开状态时的具有较大的电流,所述Si材料层作为下层沟道材可以使器件在断开状态时的具有较小的电流,性能得到极大的提高,而个工艺过程和现有工艺完全兼容,因此过程更加简单,降低了工艺成本。
声明:
“FinFET半导体器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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