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FinFET半导体器件及其制备方法

1018   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 17:33:20
本发明涉及一种FinFET半导体器件及其制备方法，所述方法，包提供半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积SiGe材料层，以形成顶部沟料层；图案化所述SiGe材料层和所述半导体衬底，以形成鳍片结构；在鳍片结构上形成栅极结构，以得到含有复合沟道材料层的器件。本发明备过程中引入复合材料层作为沟槽，所述沟槽包括两层，由下往上分别材料层和SiGe材料层，在该器件中所述SiGe材料层作为上层沟道材料使器件在打开状态时的具有较大的电流，所述Si材料层作为下层沟道材可以使器件在断开状态时的具有较小的电流，性能得到极大的提高，而个工艺过程和现有工艺完全兼容，因此过程更加简单，降低了工艺成本。
声明：
“FinFET半导体器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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