本发明提供一种用于大功率LED封装的高导热基板及制备方法,该方法按如下步骤进行:a.取铝箔或铜箔,在其中之一面涂覆含聚硅氧烷或聚硅氮烷的
复合材料,然后在惰性气体保护下,400~600℃烧结成含聚硅氧烷的高导热绝缘涂层或含聚硅氮烷的高导热绝缘涂层;b.在含聚硅氧烷的高导热绝缘涂层或含聚硅氮烷的高导热绝缘涂层表面粘贴上留有线路相对应的绝缘膜,或者在含聚硅氧烷的高导热绝缘涂层或含聚硅氮烷的高导热绝缘涂层表面用光刻胶刻上线路后产生导电层,然后将光刻胶洗掉,再在线路上物理镀、化学敏化或印刷上含有导电图形的导电层,然后揭去绝缘膜;c.最后在导电层外湿法镀金属层,得产品。
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