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高长径比倒锥状氮掺杂碳化硅纳米线及制备方法

542   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:33:19
本发明涉及一种高长径比倒锥状氮掺杂碳化硅纳米线及制备方法,通过简单的化学气相沉积方法及新的氮掺杂方式,制备具有高长径比的倒锥状碳化硅纳米线。所制备的倒锥状碳化硅纳米线表面光滑,形貌均一,产量高。该方法有效解决了现有碳化硅纳米线制备工艺成本高、操作复杂,纳米线结构不均匀、长径比低、产量低、纯度低等问题,并可在不同碳质基体上原位生长倒锥状碳化硅纳米线,为倒锥状碳化硅纳米线的制备提供新的技术和方法,有望在储能、场发射、增韧材料、纳米复合材料等领域得到广泛应用。
声明:
“高长径比倒锥状氮掺杂碳化硅纳米线及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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