本发明公开了一种二维Cu‑MOF衍生的多孔碳纳米片的制备方法,在CH
3OH/CHCl
3体系中,通过Cu
II离子和bib的自组装,合成了具有二维(4,4)层结构的新颖Cu‑MOF,然后以该Cu‑MOF为前驱体通过煅烧‑热解法得到Cu@C
复合材料。随后,用盐酸刻蚀Cu@C,再用KOH进一步活化,制备出具有高比表面积(2491m
2g
‑1)和孔体积(1.50cm
3g
‑1)的APC纳米片。本发明大大提高了碳材料的比表面积和孔体积,增强了超级电容性能。
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