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二维Cu-MOF衍生的多孔碳纳米片的制备方法

757   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:32:05
本发明公开了一种二维Cu‑MOF衍生的多孔碳纳米片的制备方法,在CH3OH/CHCl3体系中,通过CuII离子和bib的自组装,合成了具有二维(4,4)层结构的新颖Cu‑MOF,然后以该Cu‑MOF为前驱体通过煅烧‑热解法得到Cu@C复合材料。随后,用盐酸刻蚀Cu@C,再用KOH进一步活化,制备出具有高比表面积(2491m2g‑1)和孔体积(1.50cm3g‑1)的APC纳米片。本发明大大提高了碳材料的比表面积和孔体积,增强了超级电容性能。
声明:
“二维Cu-MOF衍生的多孔碳纳米片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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