本发明公开了一种纳米花阵列结构的制备方法及其应用,涉及纳米
复合材料微加工技术领域,包括以下制备步骤:(1)清洗硅片;(2)通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构;(3)将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行刻蚀制备得到溅射衬底;(4)在溅射衬底表面进行倾斜、旋转磁控溅射本发明制备得到的纳米花阵列结构由于具备顶端及侧缘尖锐的花瓣结构,该花瓣结构提供了丰富的热点,且花瓣之间距离较小,有利于获得极大的局域耦合场,因此纳米花阵列结构SERS活性高。
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