本发明公开了一种
石墨烯半导体制备装置及方法,一种石墨烯半导体制备方法,包括以下步骤:I、提供SiC衬底,利用氢气刻蚀;II、在氩气氛围下对SiC衬底片进行升温;III、在超高真空的环境下,形成六方蜂窝状的石墨烯薄膜;IV:形成石墨烯半导体
复合材料。一种石墨烯半导体制备装置,包括:氢气刻蚀模块;C原子自组装模块;同质外延成长模块;反应合成模块。本发明不仅可以获得大面积、高质量的石墨烯,而且所获得的石墨烯具有较好的均一性,且与当前的集成电路技术有很好的兼容性;同时利用了
半导体材料的优点与石墨烯的特性,实现了石墨烯的制备及其与半导体材料复合同时进行,具有广泛的适用性。
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