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石墨烯半导体制备装置及方法

1010   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:28:51
本发明公开了一种石墨烯半导体制备装置及方法,一种石墨烯半导体制备方法,包括以下步骤:I、提供SiC衬底,利用氢气刻蚀;II、在氩气氛围下对SiC衬底片进行升温;III、在超高真空的环境下,形成六方蜂窝状的石墨烯薄膜;IV:形成石墨烯半导体复合材料。一种石墨烯半导体制备装置,包括:氢气刻蚀模块;C原子自组装模块;同质外延成长模块;反应合成模块。本发明不仅可以获得大面积、高质量的石墨烯,而且所获得的石墨烯具有较好的均一性,且与当前的集成电路技术有很好的兼容性;同时利用了半导体材料的优点与石墨烯的特性,实现了石墨烯的制备及其与半导体材料复合同时进行,具有广泛的适用性。
声明:
“石墨烯半导体制备装置及方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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