本发明涉及一种通过修饰前驱体来调控碳化硅热导率的方法,基于前驱体具备分子水平上可设计性的特点,利用分段加热聚合,完成相分离。结合浸渍裂解工艺获得纤维增强的SiC
复合材料或通过裂解、用传统陶瓷制备工艺获得SiC制品。制备的材料在显微结构上具备较大差异的晶粒尺寸、相分布模式及界面特性,从而使得SiC材料的热导率在大范围内变动。在特定工艺条件下,SiC材料高温下仍具备较高的热导率。
声明:
“通过修饰前驱体来调控碳化硅热导率的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)