本发明公开了一种基于新型High?K材料的GeSn沟道场效应晶体管,主要解决现有基于现有介质材料的场效应晶体管,静态功耗大的问题。其包括:衬底(1)、沟道(2)、绝缘介质薄膜(3)、栅电极(4)、源极(5)和漏极(6),衬底(1)采用的单晶
半导体材料;该沟道(2),采用Sn组分为[0.05,0.12]的通GeSn
复合材料;该绝缘介质薄膜(3)采用介电常数在3.9~80范围的高介电常数材料;该栅电极(4)和绝缘介质薄膜(3)自上而下覆盖沟道(2)的正上方。本发明可在不提高工艺成本且满足等效氧化层厚度的前提下,提高栅极介电层的物理厚度,降低栅极漏电流,减小静态功耗,进而提升场效应晶体管的整体性能。
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