二维二硫化钨是一种类
石墨烯的新型二维材料,在电学器件、能源、生物和
复合材料等方面有极大的应用潜力。制备二维二硫化钨方法包括机械剥离、
电化学锂离子插层法、液相剥离法。水热法以及化学气相沉积法等,其中化学气相沉积法在制备二维二硫化钨时有着尺寸、层数可控,材料结晶质量高等方面的优势。目前CVD法制备二硫化钨的研究较少,已有的报道中制备的二维二硫化钨尺寸只有几十到一百微米,无法达到可控生长的目的。本专利围绕化学气相沉积法,改进生长工艺,使生长过程不再需要真空低压条件,在常压下就可进行,使用简单的单温区管式炉即可生长出高质量的,使实验过程更加简单,实验成本大大降低,并且提高了实验制备的可控性。
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“二硫化钨的可控制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)