记忆合金均载连接减振元件的制造方法,它涉及一种减振元件的制造方法。本发明解决了现有
复合材料脆性大,性能各向异性,机械加工易分层,局部强度差,接头受力复杂,一旦构件局部过载,会因应力集中导致整个构件迅速破坏的问题。其制造方法如下:一、将TiNi记忆合金经冷轧变形20%以上,然后在300℃~550℃退火处理1小时,然后机械加工,再约束时效即得元件;二、将元件按照先放入液氮再放入沸水的顺序重复20~100次,即得记忆合金均载连接减振元件。采用本发明方法制备的均载连接减振元件,同时具有优良的超弹性性能(恒弹力应变可达8%、高的上平台应力大于490MPa)以及优异的阻尼行为,可实现完美的均载连接,避免局部应力集中而导致的失效破损问题。
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