本发明公开的铁电/铁磁两相复合薄膜是在Si基 板上原位生成的铁电相和铁磁相两相复合薄膜,其中铁电相为 PbTiO3相,铁磁相为 NiFe2O4相。其制备方法:以醋酸铅,钛酸丁酯,醋酸镍和硝酸 铁为溶质,乙酸和乙二醇甲醚为溶剂配制溶胶先驱体。然后用 浸渍提拉法在Si基板上镀膜,在不同温度下热处理。本发明工 艺简单,成本低廉;用sol-gel法原位形成铁电/铁磁相复合材 料可以使两相在分子尺度上均匀复合,大大增加接触面积,使 磁电系数更高;sol-gel法原位铁电铁磁薄膜的制备技术可与 半导体集成电路技术相兼容,使得开发集半导体大规模集成电 路与铁电铁磁复合薄膜诸功能于一体的多功能电路、器件和系 统具有更好的应用前景。
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