本发明涉及一种单片层
石墨烯的制备方法,属于石墨烯的制备技术。该方法采用单片层氧化石墨烯为原料,按体积比,在冰水浴的条件下将浓硫酸滴加入单层氧化石墨烯水分散液中,配制成含硫酸质量浓度为70%-90%的反应液,在60℃-100℃下反应后,用去离子水稀释,再冷却至室温,过滤;用去离子水洗涤滤饼,再将滤饼置于真空烘箱中,在65-75℃下干燥得到黑色石墨烯。本发明的优点在于,原料成本低廉,无毒害;操作简单,适于大规模生产。所制得的单层石墨烯可用于微电子元件、锂离子电池、燃料电池和纳米增强
复合材料等领域,应用前景广阔。
声明:
“单片层石墨烯的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)