本发明属于材料核工业用材料技术领域,尤其涉及一种
芯片抗辐照封装材料及抗辐照封装工艺,所述芯片抗辐照封装材料为在塑封料中掺杂宽禁带半导体颗粒,宽禁带半导体颗粒的重量占比在10%‑75%之间。所述芯片抗辐照封装工艺为首先在铜基板背面生长一层抗辐照层,在铜基板正面焊接芯片,同时将芯片和铜基板的引脚键合;然后称量塑封料和掺杂颗粒,将塑封料和掺杂颗粒置入预设好搅拌温度的模具中进行搅拌均匀,待搅拌时间结束后,得到塑封料
复合材料;最后将搅拌均匀后的塑封料复合材料进行注塑压封,并将塑封后的芯片进行引脚电镀和去除毛刺与飞边。本发明提升了芯片整体的抗辐照性能和在太空环境下的可靠性,同时提升了芯片器件背部的抗辐照能力。
声明:
“芯片抗辐照封装材料及抗辐照封装工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)