本发明涉及一种氮化硅晶须增强氮化硅层状陶瓷制备方法。使用流延法制备氮化硅晶须薄层预制体,然后使用化学气相渗透工艺在预制体中制备氮化硅基体,得到氮化硅晶须增强氮化硅
复合材料。以复合材料为基片,在其两侧重复流延和化学气相沉积工艺,直至材料厚度达到要求。使用流延法制备的晶须预制体晶须分散均匀,增强体体积分数高。化学气相沉积工艺相比于烧结可以降低制备温度,减少对增强体的伤害,且不需使用烧结助剂,减少了杂质相的影响。同时,晶须增韧和层状复合增韧改善了氮化硅陶瓷的韧性。本发明能够制备出介电性能和力学性能优异的氮化硅晶须增强氮化硅层状陶瓷。
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