本发明提供了一种铋系半导体Bi
2MO
6复合TiO
2纳米管阵列的制备方法,属于纳米
复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为:首先通过
电化学阳极氧化法在金属钛或钛合金表面制备TiO
2纳米管阵列,然后对其进行半导体复合,制备得到了一种铋系半导体Bi
2MO
6复合的TiO
2纳米管阵列。该半导体复合材料制备方法简单,化学稳定性好,具有独特的纳米异质结结构,这种特殊的构造可以有效抑制光生电子‑空穴对的复合,使光电转换效率增高,为高性能光电转换材料的开发和应用提供思路。
声明:
“铋系半导体Bi2MO6复合TiO2纳米管阵列的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)