一种原位生长
石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法,本发明涉及铜基电接触材料的制备方法。本发明要解决现有银基电接触
复合材料价格高昂,性价比低的问题,用性能良好的铜基复合材料代替金属银时,存在石墨烯在铜中的分散不均匀、缺陷的问题。本发明的方法:将铜粉置于等离子体化学气相沉积真空装置中,通入氢气,并在高温下保温,再通入甲烷气体进行沉积,沉积结束后,停止通入甲烷气体,最后冷却至室温以下,得到石墨烯/铜复合粉末。本发明用于一种原位生长石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法。
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