本发明公开了一种低热膨胀系数SiO
2/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法。该
复合材料由基体材料刚性聚酰亚胺与SiO
2原位复合而成,基体聚酰亚胺是由1,2,4,5‑均苯四甲酸二酐(PMDA)与2‑(4‑氨基苯基)‑5‑氨基‑苯并噁唑(BOA)缩聚制得。本发明SiO
2/聚酰亚胺复合材料制备工艺简单,SiO
2在基体材料中分散较好。与现有技术相比,本发明提供的SiO
2/聚酰亚胺复合薄膜,在基材的分子结构中引入了刚性的PMDA与BOA结构单元,同时BOA的高耐热性,使得所制SiO
2/聚酰亚胺复合薄膜展现出高热稳定性及低热膨胀系数。能够较好的满足于集成电路和
芯片封装技术方面对硅基材料热匹配的要求,可以应用于微电子行业,如电子封装领域多层布线技术中的绝缘层;也可用于
太阳能电池中的绝缘层等。因而,具有较为广阔的应用前景。
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“低热膨胀系数二氧化硅/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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