本发明是一种在多层空心花状纳米片二氧化锡表面上异质生长三氧化二铁的制备方法,属于
纳米材料制备的技术领域,该方法先制备多层空心花状纳米片二氧化锡,然后以多层空心花状纳米片二氧化锡为前驱体,将其分散在水溶液中,加入十水硫酸钠和六水三
氯化铁,在一定温度下通过水热反应,使其反应生成三氧化二铁纳米棒的前驱物,并且在制备的多层空心分等级花状纳米片二氧化锡表面上异质生长,通过450度退火2小时,得到多层空心花状纳米片二氧化锡表面上异质生长三氧化二铁的
复合材料。本发明提供了一种新型的半导体纳米复合材料制备方法,通过异质复合生长,将二氧化锡和三氧化二铁复合在一起,可以表现出优异的气敏性能。
声明:
“多层空心二氧化锡花状纳米片表面生长三氧化二铁纳米棒的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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