本发明公开一种CaSnSiO
5‑K
2MoO
4基复合陶瓷微波材料及其制备方法,该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)CaSnSiO
5‑xK
2MoO
4,其中x为质量百分含量(x=20,30,35,40,50,60,70,80,90wt%)。CaSnSiO
5‑K
2MoO
4基复合陶瓷微波材料的介电常数(ε
r)范围为6.764~9.785,品质因数Qf数值的范围为2791GHz~11395GHz,谐振频率温度系数τ
f的范围为‑54.2ppm/℃~+22ppm/℃。该
复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。
声明:
“CaSnSiO5-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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