本发明提供了一种g‑C3N4/H‑TiO2基纳米管阵列及其制备方法,属于纳米
复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为:在含
钛金属基体上,通过阳极氧化法制备纳米管有序阵列;对所制备的纳米管有序阵列进行晶化和表面氢化处理,得到H‑TiO2基纳米管阵列;对所制备的H‑TiO2基纳米管阵列与g‑C3N4复合,制备得到g‑C3N4/H‑TiO2基纳米管阵列。该有序纳米管阵列复合材料应用广泛,如可作为光电极来使用,通过充分发挥纳米管有序阵列的优势,在不明显改变其形貌结构的同时实现多元改性,显著拓展太阳光响应范围,明显提高其光电转换效率,为高性能光电极的设计、开发和应用提供支持。
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“g‑C3N4/H‑TiO2基纳米管阵列及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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