本发明公开一种光记录介质,包含反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层。所述相变记录层具有通过SbxInyMz表示的平均组成,其中M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种,并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值,前提是x+y+z=1,所述第一电介质层包含含有氧化锆的
复合材料或氧化钽,并且所述第二电介质层包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。
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