一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法,它涉及一种SiC/SiO2
纳米材料的合成方法。它要解决现有SiC/SiO2纳米材料的合成方法复杂,产率低和反应随机性大的问题。合成方法:一、按摩尔百分比将硅粉、SiO2和
碳纳米管粉体混合,得到混合粉体;二、将混合粉体放于管式炉或烧结炉中,在氩气氛中以1100~1500℃的温度烧结混合粉体;三、混合粉体再置于加热设备中烧结,保温去碳后得到SiC/SiO2纳米线增强体。本发明的合成方法工艺简单,产品重现性高、可控性好,产率可达80%以上。本发明主要应用于金属基
复合材料增强体SiC/SiO2纳米材料的合成。
声明:
“SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)